Многолучевая система FIB-SEM JIB-PS500i

Образец: 5 нм проектный полупроводниковый прибор (FinFET)
Условия наблюдения: (слева) ускоряющее напряжение 2 кВ, детектор SED, изображение во вторичных электронах,
(в центре и справа) ускоряющее напряжение 200 кВ, изображение в просвечивающем электронном микроскопе, прибор: JEM-ARM200F

ПРОВЕРЬ И ИДИ

Для точной и эффективной подготовки образцов для ПЭМ крайне важно быстро контролировать ход подготовки. Благодаря столику с высоким наклоном и схеме детектора, JIB-PS500i обеспечивает плавный переход от фрезерования FIB к получению изображений в сканирующем просвечивающем электронном микроскопе (СТЭМ). Быстрый переход между обработкой ламелей и СТЭМ-визуализацией обеспечивает эффективную подготовку образцов.

Образец: силовой полупроводниковый прибор на основе SiC. Условия наблюдения: ускоряющее напряжение 30 кВ,
детектор (слева вверху) STEM-BF, (справа вверху) STEM-DF, (слева внизу) SED. Изображение во вторичных электронах,
(справа внизу) карты EDS. Фиолетовый: Al. Желтый: Ti. Оранжевый: P. Синий: O. Зеленый: Si.

АВТОМАТИЧЕСКАЯ ПОДГОТОВКА

JIB-PS500i автоматизирует подготовку образцов с помощью системы подготовки образцов для просвечивающей электронной микроскопии STEMPLING2*. Эта автоматическая система позволяет любому оператору легко подготовить образцы для просвечивающей электронной микроскопии.

Образец: Медное покрытие
(вверху) Автоматическая подготовка блока образца, (внизу) Утончение блока образца путем автоматической обработки
Условия наблюдения: Ускоряющее напряжение 30 кВ, Детектор SED (изображение SIM)

Высококонтрастные и высокоразрешающие изображения, полученные с помощью сканирующего электронного микроскопа.
Перестаньте сомневаться, не упускайте конечный результат фрезерования. Высококачественные изображения, полученные с помощью сканирующего электронного микроскопа, помогут вам.

Система обнаружения сигналов

Доступны различные детекторы, включая стандартные SED, UED и iBED. Выбор оптимального детектора позволяет получать чёткие изображения различных образцов в различных экспериментальных условиях.

СЭМ-изображения высокого разрешения

В колонну СЭМ встроена новая система суперконических линз, значительно улучшающая качество изображения при низком ускоряющем напряжении. Это превосходное качество изображения очень полезно для проверки конечной точки фрезерования ламельных образцов с помощью СЭМ.

СЭМ-изображение поперечного сечения, полученного с помощью FIB

Очень компактный выдвижной детектор обратно рассеянных электронов (RBED)* можно использовать даже при большом наклоне столика. Для визуализации поперечного сечения, полученного с помощью FIB, требующей как изображения поверхности образца, так и его наклона, сочетание различных детекторов, включая SED и UED, делает его подходящим для получения изображений поперечного сечения в SEM.

Образец: приготовленное с помощью FIB поперечное сечение 3D NAND флэш-устройства памяти 200 нм.
Условия наблюдения: ускоряющее напряжение 2 кВ, детектор (сверху) RBED изображение обратно рассеянных электронов, (слева) SED изображение вторичных электронов,
(в центре) RBED изображение обратно рассеянных электронов, (справа) UED изображение обратно рассеянных электронов

Программное обеспечение для интеграции СЭД*

Функции анализа EDS встроены в основное программное обеспечение управления прибором, что позволяет проводить элементный анализ образца без переключения программного обеспечения. (Это доступно только в том случае, если прибор оснащен системой JEOL EDS*.)

МОЩНАЯ И ВЫСОКОКАЧЕСТВЕННАЯ ОБРАБОТКА FIB
Для лучшей подготовки образцов, более мощная обработка FIB.

Большая площадь, быстрая обработка FIB

Колонка FIB позволяет проводить обработку с помощью сильноточного пучка ионов галлия (до 100 нА).
Такая высокоточная обработка особенно эффективна для визуализации и анализа больших площадей.

Образец: Полупроводниковый прибор.
Условия наблюдения: Ускоряющее напряжение 3 кВ, Детектор: SED. Изображение во вторичных электронах.
Блок образца (200 × 4 × 15 мкм). Блок образца получен с помощью OmniProbe 400*.

Удаление поврежденного слоя путем обработки низким кВ

Колонна FIB настроена на более короткое рабочее расстояние, чем в предыдущих моделях JEOL. В сочетании с новым источником питания это привело к значительному повышению производительности обработки при низких ускоряющих напряжениях. Добавление новой системы управления обеспечивает высокопроизводительное тонкое фрезерование, необходимое для качественной подготовки ламелей.

Новая конструкция камеры и сцены.
Гибкая, наклонная и большая сцена, способная удовлетворить любые требования.

Загрузка большого образца

JIB-PS500i оснащен большой камерой для образцов и новым 5-осевым полностью эвцентрическим столиком с большим двигателем, что увеличивает диапазон его перемещения и позволяет работать с крупными образцами. Этот большой столик позволяет обрабатывать и получать изображения всей поверхности образца диаметром 130 мм. Кроме того, в камеру для образцов можно загружать образцы высотой до 80 мм.

В камеру образца загружается кремниевая пластина диаметром 150 мм.

AVERT Engine определяет предел движения с помощью 3D-моделей

Система AVERT Engine определяет предел перемещения образца с помощью 3D-моделей держателя образца, предметного столика и объекта внутри камеры. Таким образом, образец не должен мешать детектору и объективу в любых условиях.

* не является обязательным.